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攜手新思,聯電完成首例14奈米FinFET設計定案
Jun 26th 2013, 11:04

精實新聞 2013-06-26 18:41:28 記者 王彤勻 報導

聯電(2303)與新思科技(Synopsys)於今(26日)共同宣佈,兩家公司的合作已獲得成果,採用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合,和Galaxy實作平台的一部分-寄生StarRC萃取方案,成功完成了聯電第一個14奈米FinFET製程驗證工具的設計定案。

聯電指出,由於FinFET製程所具備的效能、功耗、晶片內變異性,以及比平面CMOS製程較低的數據保留電壓等優勢,引起了晶片設計公司高度的興趣。而此製程驗證工具將提供初期的數據,讓聯電得以調整其14奈米FinFET製程,並且優化Synopsys的DesignWare IP產品組合,藉以得到最佳化的功耗,性能和面積。此外,此製程驗證工具同時也提供了數據,讓FinFET模擬模型與矽製程結果有更好的關聯性。而在雙方持續進展中的合作關係上,採用新思DesignWare矽智財解決方案,來認證聯電14奈米FinFET製程,可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。

聯電市場行銷副總郭天全表示,此次設計定案的成功,是聯電技術上的重要里程碑,而聯電的目標,就是提供客戶高競爭力的FinFET技術解決方案,協助客戶產品一直走在技術尖端。他強調,聯電選擇了新思科技作為此次重要合作的夥伴,原因在於其在FinFET領域的經驗與專業,以及在先進製程開發優質DesignWare矽智財的傑出紀錄。而此次雙方合作的成果將可大大嘉惠設計公司,為其帶來功耗、效能、成本上的好處。

新思科技矽智財與系統行銷副總John Koeter則表示,新思一直引領業界,致力於開發FinFET技術的矽智財與工具,而新思與聯電的合作,充分展現了雙方共同的堅定承諾,開發通過驗證之矽智財與工具,藉此降低設計公司在整合上的風險,並且加速其產品的量產時程。

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